تراشه‌های ۱ نانومتری سامسونگ با فناوری نسل جدید EUV تولید می‌شوند

سامسونگ ظاهراً قصد دارد فناوری High-NA EUV را در تولید انبوه تراشه‌های ۱ نانومتری خود به‌کار بگیرد. این شرکت تجاری‌سازی فناوری نسل جدید لیتوگرافی EUV را برای حوالی سال ۲۰۳۰ هدف‌گذاری کرده و برخلاف برنامه اولیه، فعلاً قصد ندارد آن را در فرایندهای ۲ یا ۱٫۴ نانومتری استفاده کند.

🔷 تراشه ۱ نانومتری سامسونگ در نسل‌های آینده از فناوری High-NA EUV استفاده خواهد کرد. 🔷 سامسونگ تجاری‌سازی این فناوری را برای حوالی سال ۲۰۳۰ هدف‌گذاری کرده است. 🔷 فناوری High-NA EUV هنوز برای استفاده در فرایندهای ۲ و ۱٫۴ نانومتری به بلوغ کافی نرسیده است. 🔷 فرایند ۱٫۴ نانومتری SF1.4 در سال ۲۰۲۹ از EUV متعارف با NA برابر ۰٫۳۳ استفاده می‌کند. 🔷 سامسونگ در ابتدا ترکیبی از EUV استاندارد و High-NA EUV را به‌کار خواهد گرفت.

High-NA EUV چه زمانی به تراشه ۱ نانومتری سامسونگ می‌رسد؟

براساس گزارش SemiconductorsX ، سامسونگ استفاده از High-NA EUV برای تولید انبوه تراشه‌های ۱ نانومتری (A10) را هدف‌گذاری کرده و انتظار دارد تجاری‌سازی این فناوری حوالی سال ۲۰۳۰ آغاز شود.

چانگمین پارک از تیم توسعه فرایند فاندری سامسونگ می‌گوید این شرکت ابتدا قصد داشت High-NA را از گره‌های ۲ یا ۱٫۴ نانومتری به‌کار بگیرد، اما فناوری هنوز به بلوغ موردنیاز نرسیده است.

سامسونگ تراشه‌های ۱٫۴ نانومتری را چگونه تولید می‌کند؟

سامسونگ فرایند SF1.4 را برای سال ۲۰۲۹ برنامه‌ریزی کرده است و در آن از لیتوگرافی EUV متعارف با دیافراگم عددی ۰٫۳۳ استفاده خواهد کرد.

طبق برنامه فعلی، SF1.4+ و نخستین گره ۱ نانومتری نیز در سال ۲۰۳۰ ابتدا همین فناوری را به‌کار می‌گیرند و High-NA پس از آن به روش اصلی تولید تبدیل خواهد شد.

سامسونگ قصد دارد فناوری High-NA EUV را از گره ۱ نانومتری به‌کار بگیرد و تولید انبوه آن را حوالی سال ۲۰۳۰ آغاز کند.

چرا سامسونگ High-NA EUV را دیرتر به‌کار می‌گیرد؟

تجهیزات High-NA EUV قیمت بالایی دارند و اکوسیستم تجهیزات و مواد موردنیاز آن‌ها همچنان درحال توسعه است. به‌همین‌دلیل، سامسونگ به‌جای مهاجرت یک‌باره، رویکردی تدریجی را دنبال می‌کند.

این شرکت برای مدتی الگوسازی چندگانه با EUV استاندارد را با الگوسازی تک‌مرحله‌ای High-NA ترکیب خواهد کرد. سامسونگ هم‌زمان با شرکای تجهیزات و مواد روی توسعه این فناوری کار می‌کند تا شرایط برای استفاده گسترده‌تر از آن فراهم شود.

برنامه سامسونگ نشان می‌دهد High-NA EUV قرار است نقش مهمی در نسل‌های آینده تراشه‌های ۱ نانومتری داشته باشد، اما هزینه بالا و بلوغ ناکافی این فناوری باعث شده شرکت استفاده گسترده از آن را به بعد از نخستین نسل ۱ نانومتری موکول کند.

به‌نظر شما فناوری High-NA EUV می‌تواند جایگاه سامسونگ را در رقابت تولید تراشه‌های پیشرفته تقویت کند؟ دیدگاه خود را در بخش نظرات بنویسید.