ادعایی تازه از دل کنفرانس‌های صنعتی شانگهای، دنیای سخت‌افزار را در بهت فرو برد. شرکت چینی CXMT مدعی دستیابی به موفقیتی در تولید تراشه‌های حافظه شده است که رقبای باسابقه سال‌ها در پی آن بودند؛ پیشرفتی که با وجود تحریم‌های همه‌جانبه‌ی غرب، زنگ خطری جدی برای غول‌های سنتی به شمار می‌رود.
چائو کانیو ، رئیس شرکت CXMT، در جریان همایشی صنعتی در شانگهای اعلام کرد که آن‌ها توسعه‌ی معماری اختصاصی جدیدی موسوم به 4F² را به پایان رسانده‌اند و تا پیش از پایان سال جاری میلادی، محصولاتی با تراکم فوق‌العاده بالا برای سرورهای دیتاسنتر به بازار خواهند فرستاد.
این خبر بلافاصله واکنش هیجانی بازار سرمایه را به دنبال داشت ؛ ارزش سهام سامسونگ ۷٫۴ درصد و اس‌کی هاینیکس ۱۰ درصد در بورس کره‌ی جنوبی سقوط کرد و مایکرون در وال‌استریت افت ۴ درصدی را تجربه کرد.
معماری 4F² چیست و چرا تحولی بزرگ شمرده می‌شود؟
استاندارد رایج و تثبیت‌شده‌ی صنعت نیمه‌رسانا امروزه بر پایه‌ی طراحی 6F² قرار دارد؛ معیاری که مساحت هر سلول حافظه را بر اساس ضریبی از ابعاد پایه تعیین می‌کند. سال‌ها است که رهبران بازار تلاش دارند با کاهش این نسبت به 4F²، تراکم ترانزیستورها را به شکل چشمگیری بدون نیاز به ماشین‌آلات لیتوگرافی فرابنفش بسیار پیشرفته ارتقاء دهند.
شرکت CXMT برای غلبه بر چالش‌های فیزیکی، روش ترانزیستورهای گیت احاطه‌کننده‌ی عمودی (Vertical Surrounding Gate) را برگزیده تا نشت الکتریکی و اختلالات سیگنال مهار شوند.
نوآوری کلیدی در این دستاورد، جداسازی کامل فرآیند تولید سلول‌های ذخیره‌سازی از مدارهای منطقی جانبی به شمار می‌رود. برخلاف روش‌های متداول که هر دو بخش روی یک ویفر سیلیکونی ساخته می‌شوند، مهندسان CXMT هر بخش را روی ویفرهای مجزا تولید کرده‌اند و سپس با استفاده از فناوری پیوند هیبریدی (Hybrid Bonding) آن‌ها را ادغام می‌کنند؛ رویکردی که بیش از ۳۰ درصد ظرفیت ذخیره‌سازی را در فضای مشابه بهبود می‌بخشد.
دستیابی به نمونه‌ی آزمایشگاهی، همواره فاصله‌ی زیادی با تولید تجاری پایدار دارد. حفظ یکپارچگی سلول‌ها و نرخ بازدهی در مقیاس صنعتی بزرگ‌ترین سد پیش روی سازندگان چینی خواهد بود. با این حال، تلاش‌های اخیر یادآور راهکارهای نوآورانه‌ی شرکت‌هایی نظیر هواوی برای دور زدن محدودیت‌های زنجیره‌ی تأمین به شمار می‌رود؛ شرکت‌هایی که به جای پیروی از روند مرسوم، قوانین ساختاری تراشه را بازتعریف می‌کنند.
سهم این شرکت چینی در بازار کلی DRAM پیشرفت خیره‌کننده‌ای را نشان می‌دهد:
با وجود اینکه حافظه‌های با پهنای باند بالا (HBM) که شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی انویدیا به آن‌ها متکی هستند همچنان در سلطه‌ی رقبا قرار دارند، دستیابی چین به تجاری‌سازی 4F² نشانه‌ای از کاهش وابستگی این کشور به لیتوگرافی‌های پیشرفته‌ی غربی است و قواعد رقابت در دنیای نیمه‌رساناها را دستخوش تغییری اساسی خواهد کرد.
آیا پیشرفت‌های مستقل چین می‌تواند انحصار شرکت‌های کره‌ای و آمریکایی را در صنعت نیمه‌رسانا پایان دهد؟ دیدگاه خود را با ما در میان بگذارید.
نظرات کاربران