چین با پیشرفت بزرگ در تولید DRAM بازار حافظه را به لرزه انداخت

شرکت چینی CXMT با ادعای دستیابی به فناوری 4F² تولید حافظه DRAM، سهام سامسونگ و SK Hynix را به‌ شدت کاهش داد.

به‌ گزارش سرویس سخت‌افزار تک‌ناک ، سهام سامسونگ الکترونیکس در معاملات روز سه‌شنبه، ۱۳ اکتبر، ۷.۷ درصد افت کرد و SK Hynix نیز سقوط ۸.۸ درصدی را تجربه کرد. براساس گزارش آسوشیتدپرس، شاخص Kospi کره جنوبی در جریان معاملات بیش از ۷ درصد کاهش یافت. از آنجا که این دو شرکت روی‌هم بیش از نیمی از ارزش بازار این شاخص را تشکیل می‌دهند، افت هم‌زمان آنها تاثیر چشمگیری بر عملکرد کل بازار دارد.

محرک اصلی این ریزش، اعلام پیشرفتی مهم از سوی شرکت چینی ChangXin Memory Technologies، موسوم به CXMT ، بود. روزنامه South China Morning Post گزارش داد که این شرکت در توسعه معماری تراشه‌ای به پیشرفت قابل توجهی دست یافته است که رقبایی مانند سامسونگ سال‌ها برای دستیابی به آن تلاش کرده‌اند.

این فناوری با نام 4F² شناخته می‌شود و به معماری سلول حافظه‌ای اشاره دارد، که در آن هر سلول فضایی معادل چهار برابر مربعِ بُعد F اشغال می‌کند. F نمایانگر حداقل عرض خطی است که سازنده تراشه قادر به ایجاد آن روی سطح تراشه است. کاهش مساحت هر سلول به سازندگان اجازه می‌دهد تعداد بیشتری سلول را در یک تراشه جای دهند و به این ترتیب، بدون کاهش ابعاد ویفر، تراکم حافظه را افزایش دهند. شرکت CXMT بیان کرده که دستاورد جدید آن بر پایه ترانزیستور گیت فراگیر عمودی است؛ ساختاری با گیت عمودی که برای مهار نشت جریان و کاهش مساحت مورد نیاز هر سلول حافظه طراحی شده است. این شرکت برنامه دارد تا پیش از پایان سال ۲۰۲۶، محصولی از نوع DDR5 RDIMM را با استفاده از این معماری عرضه کند.

حتما بخوانید: قیمت پردازنده های اینتل و کوالکام افزایش یافت

با وجود این‌، شرکت SK Hynix پیش‌تر مسیر توسعه این فناوری را آغاز کرده بود و در سال ۲۰۲۵ نقشه راه اختصاصی خود را برای معماری 4F² منتشر کرد. از سوی دیگر، بر اساس گزارشی که رسانه کره‌ای الک در ماه آوریل منتشر کرد، سامسونگ تولید انبوه تراشه‌های DRAM با فناوری ساخت کمتر از ۱۰ نانومتر و مبتنی بر همین معماری را برای سال ۲۰۲۸ هدف‌گذاری کرده است. بنابراین، اگر شرکت چینی CXMT واقعا بتواند حافظه DRAM مبتنی بر فناوری 4F² را امسال تولید کند، در تجاری‌سازی ساختاری از هر دو رقیب بزرگ خود پیش خواهد افتاد؛ ساختاری که این شرکت‌ها بیش از یک سال است برای توسعه آن رقابت می‌کنند. همین برتری احتمالی، حتی پیش از اثبات کامل، برای ایجاد افت شدید سهام دو غول کره‌ای در یک روز کافی بود.

این نگرانی‌ها پیشینه‌ روشنی دارند. شرکت CXMT روز دوشنبه، ۲۷ ژوئیه وارد بورس شانگهای شد و سهام آن در نخستین روز معاملاتی ۴۶۶ درصد جهش کرد. این رشد، شرکت را به یکی از باارزش‌ترین شرکت‌های پذیرفته‌شده در بورس سرزمین اصلی چین تبدیل کرد. به این ترتیب، سرمایه‌گذاران پیش از مطرح شدن ادعای مربوط به 4F² نیز نسبت به این شرکت حساس شده بودند؛ ادعایی که اکنون تهدید مستقیم‌تری در حوزه فناوری محسوب می‌شود. در معاملات روز دوشنبه آمریکا، سهام میکرون ۳.۹ درصد افت کرد و شاخص نیمه‌رساناهای فیلادلفیا نیز ۲.۶۷ درصد کاهش یافت. شرکت‌های تولیدکننده حافظه بیش از سهم معمول خود در این افت نقش داشتند.

اهمیت پیشرفت چین در تولید DRAM

اهمیت این تحولات را باید در جایگاه جدید حافظه در صنعت هوش مصنوعی جست‌وجو کرد. تراشه‌های حافظه که پیش‌تر بخش کوچکی از هزینه‌های سرمایه‌ای شرکت‌های بزرگ زیرساخت ابری را تشکیل می‌دادند، اکنون به یکی از گلوگاه‌های اصلی توسعه زیرساخت هوش مصنوعی تبدیل شده‌اند. حافظه در سال ۲۰۲۳ حدود ۸ درصد از هزینه‌های سرمایه‌ای این شرکت‌ها را به خود اختصاص می‌داد، اما این سهم در سال ۲۰۲۶ به حدود ۳۰ درصد رسیده است. برخی مدل‌های تحلیلی نیز افزایش آن به حدود ۴۸ درصد در سال ۲۰۲۷ را پیش‌بینی می‌کنند. در این میان، حافظه با پهنای باند بالا یا HBM، که از طریق ساختار انباشته خود داده‌ها را با سرعت بالا در اختیار شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی انویدیا قرار می‌دهد، به یکی از رقابتی‌ترین محصولات صنعت تبدیل شده است. سامسونگ و SK Hynix بخشی از ظرفیت تولید خود را به این بازار اختصاص داده‌اند، زیرا حاشیه سود آن بالاتر است. دیجیتایمز گزارش داده که همین تغییر در اولویت‌های تولید، یکی از عواملی بوده که به CXMT اجازه داده است سهم خود را در بازار DRAM استاندارد افزایش دهد، در حالی که دو رقیب کره‌ای ظرفیت بیشتری را به محصولات دیگر اختصاص داده‌اند.

روند رشد CXMT حتی بدون احتساب ادعای مربوط به فناوری 4F² نیز قابل توجه است. درآمد این شرکت بیش از هفت برابر شده و موسسه ترندفورس سهم آن از درآمد جهانی DRAM در سه‌ماهه دوم را ۹.۵ درصد برآورد کرده است. در همین دوره، سامسونگ با سهم ۳۹.۴ درصدی در رتبه نخست قرار داشت و SK Hynix و میکرون به‌ترتیب سهم‌های ۲۴.۹ و ۲۳.۳ درصدی را به خود اختصاص داده بودند. با احتساب سایر تولیدکنندگان چینی، از جمله JHICC، Swaysure و YMTC پیش‌بینی می‌شود ظرفیت تجمیعی تولید DRAM چین تا سال ۲۰۳۰ به حدود ۱.۴۱ میلیون ویفر در ماه برسد. تحقق این برآورد می‌تواند چین را به دومین قطب بزرگ تولید DRAM جهان پس از کره جنوبی تبدیل کند.

برای مطالعه بیشتر: رکوردشکنی TSMC ادامه دارد؛ هوش مصنوعی موتور سودآوری این شرکت شد

البته این آمارها به‌خودی‌خود صحت عملکرد فناوری 4F² در مقیاس انبوه را تایید نمی‌کنند. شرکت CXMT هنوز نتایج مستقلی برای اثبات ادعای خود منتشر نکرده است و صنعت نیمه‌رسانا نیز سابقه طولانی در اعلام نقشه‌های راهی دارد که اجرای آنها با تاخیر مواجه می‌شود. با وجود این‌، برای ایجاد واکنش در بازار، اثبات قطعی این فناوری ضرورت ندارد. بازارهای مالی منتظر داوری علمی نمی‌مانند. سامسونگ و SK Hynix تنها به این دلیل بخش قابل توجهی از ارزش بازار خود را از دست دادند که رقیبی مدعی شد زودتر به هدفی رسیده است که آنها نیز در پی تحقق آن بوده‌اند. مسیر آینده به این بستگی دارد که CXMT بتواند محصول DDR5 RDIMM مبتنی بر معماری جدید را طبق وعده، تا پایان سال جاری میلادی عرضه کند یا خیر. در صورت تحقق این برنامه، بازار جهانی حافظه سرور با تامین‌کننده چینی قدرتمندتری در حوزه DRAM روبه‌رو خواهد شد؛ آن هم در شرایطی که محدودیت‌های صادراتی آمریکا قرار بود از شکل‌گیری دقیقا چنین وضعیتی جلوگیری کنند.