به گزارش شبکه اطلاعرسانی طلا و ارز، پژوهشگران چینی فرآیندی برای ساخت ترانزیستورهای زیر ۳ نانومتر توسعه دادهاند. آنها برای این کار از لیتوگرافی فرابنفش عمیق (DUV) استفاده کردهاند. این فناوری نسل قبلی ابزارهای تراشهسازی است و چین به آن دسترسی دارد.
اهمیت این خبر در یک نکته است: پیشرفتهترین تراشههای جهان تاکنون به دستگاههای نسل جدید وابسته بودهاند. چین به دلیل محدودیتهای صادراتی به این دستگاهها دسترسی ندارد. اگر این روش به تولید انبوه برسد، بخشی از اثر این محدودیتها کم میشود. پیامد آن ممکن است در قیمت کالاهای الکترونیکی و ارزش سهام شرکتهای تراشهساز دیده شود.
این فناوری دقیقاً چیست؟
لیتوگرافی فرایندی است که طرح مدار را با نور روی ویفر سیلیکونی حک میکند. هرچه طول موج نور کوتاهتر باشد، جزئیات ریزتری روی تراشه جا میگیرد. دستگاههای فرابنفش حدی (EUV) نور کوتاهتری دارند و ساخت تراشههای ۳ نانومتری را سادهتر میکنند. دستگاههای DUV قدیمیترند و برای رسیدن به همان ظرافت باید چند مرحله الگوبرداری پشت سر هم انجام دهند.
ترانزیستورهای GAA نسل تازهای از ساختار ترانزیستور هستند. در این طراحی، دریچه کنترل جریان از همه طرف دور کانال را میگیرد. نتیجه، کنترل دقیقتر برق و مصرف انرژی کمتر است. به زبان ساده، گوشی و رایانهای که با این تراشهها کار کند، سریعتر است و باتری آن دیرتر خالی میشود.
فاصله آزمایشگاه تا کارخانه
این دستاورد هنوز در مرحله پژوهش است و تولید تجاری آن آغاز نشده است. چالش اصلی روشهای چندمرحلهای، بازدهی تولید است؛ یعنی سهم تراشههای سالم از هر ویفر. هر مرحله اضافه، هم هزینه را بالا میبرد و هم احتمال خطا را افزایش میدهد. بنابراین پرسش اصلی بازار این است که آیا این روش از نظر اقتصادی قابل رقابت خواهد بود یا نه.
برای سرمایهگذاران حرفهای، این خبر یک متغیر بلندمدت است، نه یک رویداد کوتاهمدت. بازار تراشه در سالهای اخیر میان دو نیرو کشیده شده است: تلاش آمریکا و متحدانش برای محدود کردن دسترسی چین، و سرمایهگذاری سنگین چین برای خودکفایی. دادههای تولید تجاری در ماههای آینده نشان خواهد داد این پژوهش تا چه اندازه به ترازوی این رقابت وزن اضافه میکند.















نظرات کاربران